SiC – Høyeffektiv kraftelektronikk
Silisiumkarbid er blitt en moden teknologi for kraftelektronikk, noe som belyses på en konferanse i mai.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
«Silisiumkarbid gir høyeffektiv kraftelektronikk!» Det er overskriften når konferansen ISiCPEAW 2016 går av stabelen 18.-19. mai i Stockholm.
Her kan du høre på eksperter innen området, oppdatere deg på de nyeste forskningsresultatene og ta del i andres erfaringer, fra materialteknikk til kraftelektronikk.
Konstruksjon av kraftelektronikk med sisilisumkarbid kan gi betydelige energigevinster, noe vi belyste i en artikkel om emnet i Elektronikk tidligere i år.
Konferansen holdes på Courtyard Stockholm Kungsholmen. Informasjon om påmelding og program finner du her.
