Ringoscillator på nanorør
Forskere ved IBM Watson Research Center skal ha lykkes med å framstille en hel elektronisk krets basert på ett nanorør i karbon.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
I denne sammenheng brukes nanorøret på tilsvarende måte som silisium i vanlig halvlederteknologi. Det er tidsskriftet Science som skriver dette i sin siste utgave.
Kretsen de har laget er en ring-oscillator, realisert med utgangspunkt i et nanorør på 18 mikrometer. Den består av 12 ulike felteffekt transistorer. Halvparten av disse er av typen p, halvparten av typen n. N -doping er gjort med aluminium, p -dopingen med palladium.
Gjennombruddet gir lovende utsikter. Kretsen som er laget skal være 10.000 til 100.000 ganger så rask som en tilsvarende krets basert på flere karbonrør, med ledninger mellom transistorene. At komplekse elektroniske kretser kan bygges med utgangspunkt i ett nanorør gir dermed håp om at teknologien kan bringe miniatyriseringen av elektronikk enda et steg videre. Blant annet fordi masseproduksjon blir enklere med hele kretser på ett rør, i forhold til kun en transistor per rør.
Ifølge IBM kan dermed nanorør være teknologien som tar over for silisium, selv om det er mye som gjenstår ennå.
Såkalte krabonnanorør er lange molekyler av karbon, med en diameter på rundt en nanometer, og en lengde på flere mikrometer. Det er tidligere vist at de kan dopes for å bære transistorer, og man har greid å framstille kretser med transistorer fra flere nanorør.
