Multi-gate transistorer i produksjon
I den nye x86-familien som kommer senere i år skal Intel bruke sin nye transistorteknikk; tri-gate. Den skal kunne redusere strømlekkasjen i små geometrier.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Intel melder nå at de skal bruke tri-gate teknologien i sin nye prosessorfamilie, foreløpig med kodenavnet Ivy Bridge, som skal settes i produksjon i 22 nanometer (nm) prosess senere i år. Selskapet regner med at prosessen skal gi komponenter som bruker halvparten så mye effekt som dagens 32 nm produkter.
Tri-gate teknikken, som er tenkt brukt både i minner og prosessorer, har vært under utvikling i det siste tiåret, og skulle tas i bruk når geometriene kom ned i denne størrelsen. Problemet her er mye lekkstrømmer som økre både det statiske og dynamiske strømforbruket. Tri-gate skal både gi lavere lekkestrømmer og skal senke terskelspenningen, heter det fra Intel.
I tri-gate brukes tre gater som er brettet rundt en tredimensjonal silisiumstruktur, i stedet for at det ligger én oppå. Dermed får man tre kontaktflater som strømmen kan flyte gjennom, istedet for en. Teknikken er også kalt FinFET, ettersom silisiumsubstratet stikker opp en «finne» i gaten. Intel kaller også teknikken 3D transistor.
