Feil i transistorteorien?

De sier videre at dersom ikke dette løses, kan det hindre utviklingen av mer effektive og strømgjerrige komponenter.

Forskerne kom over problemet mens de studerte fluktuasjoner mellom av- og på-tilstander i stadig mindre transistorer.

Nå hevder de at en bredt akseptert modell om at feil forårsaket av elektronisk støy i svitsjer ikke passer virkeligheten. I flere tiår har ingeniører akseptert en teoretisk modell som identifiserer disse feilene og bidrar til å bøte på problemet. Modellen, den elastiske tunnelmodellen, forutser at når transistorene blir mindre, skal støyfrekvensen bli høyere.

Men lederen for forskergruppen, Jason Campbell og kolleger ved NIST, sammen med forskere fra University of Maryland College Park og Rutgers University, har nå vist at selv i transistorer i nanometerstørrelser, så forblir støyfrekvensen den samme.

– Dette antyder at teorien som forklarer denne effekten må være feil, sier Campbell i følge EETimes. – Modellen var god så lenge man arbeidet med store transisorer, men vår observasjon indikerer helt klart at dette ikke gjelder ved mindre nanoskala-regimer, hvor også industrien går, la han til.

Problemet har spesielt implikasjoner for laveffekt-transistorer, siden fluktuasjonene de observerte ble enda sterkere uttrykt etterhvert som effekten ble mindre.

– Dette er en virkelig flaskehals i vår utvikling av transistorer for laveffekt-applikasjoner. Vi må forstå problemet før vi kan løse det – og det verste av alt – vi vet ikke hva som faktisk skjer.