Bygger ny fabrikk for SiC og GaN
Infineon Technologies skal investere mer enn 2 milliarder euro for å bygge ut produksjonskapasitet for halvledere med brede båndgap (SiC og GaN) i Malaysia.
Publisert
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Selskapet investerer mer enn 2 milliarder euro for å bygge en tredje modul ved anlegget i Kulim, Malaysia. Når den er fullt utstyrt, vil den nye modulen generere 2 milliarder euro i ekstra årlige inntekter med produkter basert på silisiumkarbid og galliumnitrid.
Utvidelsen vil dra nytte av stordriftsfordeler som allerede er oppnådd for 200-millimeters produksjon i Kulim. Det vil også utfylle Infineons posisjon innen silisium, basert på 300-millimeters produksjon i Villach og Dresden.
– Innovative teknologier og bruk av grønn elektrisk energi er nøkkelen til å redusere karbonutslipp. Fornybar energi og elektromobilitet er viktige drivere for en sterk og bærekraftig økning i etterspørselen etter krafthalvledere, sier Jochen Hanebeck, Chief Operations Officer i Infineon. – Utvidelsen av SiC- og GaN-kapasiteten gjør Infineon klar for økt vekst i markedet for store båndgap.
Infineon leverer allerede SiC-baserte produkter til mer enn 3000 kunder i dag. De blir typisk brukt i industriell strømforsyning, solcelleanlegg, transport, stasjoner, bil- og el-lading. Infineon sikter mot inntekter på 1 milliard dollar med SiC-baserte krafthalvledere innen midten av tiåret. GaN-markedet er også spådd å gjennomgå massiv vekst – fra 47 millioner dollar i 2020 til 801 millioner dollar i 2025 (CAGR: 76 %; kilde: Yole – Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor Q3 2021).
Byggingen starter i juni og fabrikken vil være klar for utstyr sommeren 2024. De første kretsene vil leveres fra fabrikken i andre halvdel av 2024.
