Kraftelektronikk:

Test ut GaN uten redesign

Cambridge DaN Devices åpner for å prøve deres ICeGaN-kretser i eksisterende design.

Publisert Sist oppdatert

Cambridge GaN Devices (CGD) er et fabrikkløst halvlederselskap som utvikler et spekter av energieffektive GaN- (galliumnitrid) baserte kraftkomponenter.

Nå introduserer de et utvalg med applikasjonsgrensesnitt, eller Application Interface Boards, som skal gjøre det mulign for utviklere å prøve ut selskapets robuste og brukervennlige ICeGaN HEMTs i eksisterende design som erstatning for konkurrerende MOSFET- eller GaN-komponenter – uten å måtte lage et nytt mønsterkortutlegg.

Disse grensesnittkortene beskrives som overgangsmønsterkort som loddes til en ICeGaN-komponent, og som mapper hver pinne/signal fra ICeGaN HEMT sitt fotavtrykk til de tilsvarende pinner/signaler for en alternativ komponent.

– Disse grensesnittkortene er selvfølgelig kun designet for design- og evalueringsformål. Dette er et raskt, første skritt for å gjøre det mulig for brukeren å sette en av våre ICeGaN ICer inn i et eksisterende design. Det er en liten innvirkning på termisk ytelse, men overraskende liten forskjell i EMC eller elektrisk ytelse, sier leder for applikasjonsutvikling i CGD, Peter Comiskey.

CGD tilbyr applikasjonsgrensesnittkort for en rekke industristandardenheter fra ledende MOSFET- og GaN-enhetsprodusenter. En fullstendig liste finner du i brukerveiledningen, men selskapet opplyser at de gjerne utvikler et overgangskort for enheter som for øyeblikket ikke støttes, for levering innen fire uker.

Powered by Labrador CMS