Kraftelektronikk:
600V GaN-komponenter
Infineon lanserer ny CoolGaN 600 V GIT HEMT portefølje.
Infineon Technologies AG melder at de har gjennomført en
vellykket integrasjon av sin 600 V CoolGaN
HD-GIT (hybrid-drain-embedded gate injection transistor) teknologi i egne
produksjonsfasiliteter.
Selskapet slipper nå hele porteføljen av sine høykvalitets GaN-enheter til det bredere markedet.
Ved å dra nytte av deres heleide og kontrollerte forsyningskjede, inkluderer den utvidede GaN-porteføljen et bredt spekter av diskrete og fullt integrerte GaN-komponenter som langt overgår JEDECs levetidskrav, heter det.
De nye komponentene er optimalisert for ulike applikasjoner, fra industrielle SMPS for servere, telekom og solenergi til forbrukerapplikasjoner, som ladere og adaptere, motordrivere, TV/skjerm og led-belysningssystemer.
