Kraftelektronikk

Eksempel på SiC-skiver fra Resonac.
Eksempel på SiC-skiver fra Resonac.

Infineon sikrer silisiumkarbidsubstrat

Kombinasjonen av et raskt voksende marked og svært få leverandører av silisiumkarbidsubstrater (SiC) har fått tyske Infineon til å utvide samarbeidsavtalen med japanske Resonac, tidligere Showa Denso, for å sikre forsyningen av akkurat det substratet.

Publisert

Selskapene inngikk en avtale i 2021, som nå forlenges. Nøyaktig hvor mye penger det er snakk om eller hvilken andel Resonac vil få framgår ikke av pressemeldingen. Det står bare at avtalen gir Resonac «en tosifret andel av den forventede veksten det neste tiåret».

I utgangspunktet dreier det seg om sekstommers skiver og på sikt også åtte tommer.

Resonac og American Cree har vært de to største leverandørene av silisiumkarbid-epitaksisubstrater. Flere selskaper utfordrer imidlertid duopolet, blant annet amerikanske II-IV med virksomhet i Kista, Sverige.

Infineon utvider for tiden sin SiC-produksjonskapasitet for å nå en markedsandel på 30 prosent innen slutten av tiåret. Infineons SiC-produksjonskapasitet er i ferd med å tidobles innen 2027. Et nytt anlegg i Kulim, Malaysia, skal etter planen starte produksjonen i 2024.

Powered by Labrador CMS