Bygger Europas første storskala GaN-fabrikk for 300 mm skiver

Produksjonen skal starte mot slutten av 2027, og anlegget får støtte gjennom EUs Chips Act med inntil 319 millioner euro.

Investeringen markerer et viktig skifte i den globale GaN-industrien. Selv om GaN-komponenter allerede er etablert i hurtigladere, strømforsyninger og enkelte industrielle applikasjoner, har produksjonen hittil i stor grad vært basert på mindre waferdiametere og relativt begrensede volumer. Med overgangen til 300 mm produksjon satser Infineon på å bringe teknologien inn i massemarkedet.

Satser på neste generasjons kraftelektronikk

GaN regnes som et av de viktigste halvledermaterialene innen moderne kraftelektronikk. Sammenlignet med tradisjonelle silisiumbaserte komponenter kan GaN-transistorer svitsje raskere, redusere energitapene og muliggjøre mer kompakte konstruksjoner. Resultatet er mindre varmeutvikling, høyere virkningsgrad og mindre behov for kjøling.

Dette er egenskaper som blir stadig viktigere etter hvert som energiforbruket øker i blant annet KI-datasentre, ladeinfrastruktur for elektriske kjøretøy, industrielle roboter, telekomutstyr og energisystemer.

Ifølge Infineon er den nye fabrikken direkte rettet mot denne voksende etterspørselen etter mer energieffektive strømforsyningsløsninger. Selskapet peker spesielt på KI-datasentre, kraftinfrastruktur, e-mobilitet og robotikk som sentrale vekstområder.

Først med 300 mm GaN i høyvolum

En av de mest interessante teknologiske sidene ved prosjektet er overgangen til 300 mm wafere.

For to år siden kunngjorde Infineon at selskapet hadde lykkes med prosessering av verdens første 300 mm GaN-wafere. Nå skal teknologien industrialiseres og settes i serieproduksjon. Ifølge selskapet gir en 300 mm wafer omtrent 2,3 ganger flere brikker enn en 200 mm wafer. Dette bidrar til lavere kostnad per komponent, bedre kapasitetsutnyttelse og mer effektiv produksjon.

For halvlederindustrien er dette en viktig milepæl. Historisk har overgangen til større wafere vært et sentralt virkemiddel for å redusere produksjonskostnader og gjøre ny teknologi konkurransedyktig i større markeder. Dersom Infineon lykkes med høyvolumproduksjon av GaN på 300 mm wafere, kan det bidra til å presse teknologien inn i langt flere produkter enn i dag.

Konsernsjef Jochen Hanebeck beskriver satsingen som et viktig bidrag til både Europas teknologiske suverenitet og den videre utbredelsen av GaN-baserte løsninger innen kunstig intelligens, energi, transport og robotikk.

Styrkes som europeisk kompetansesenter

Den nye satsingen bygges ikke fra grunnen av. Fabrikken etableres ved Infineons eksisterende anlegg i Villach i Østerrike, hvor selskapet allerede har betydelig virksomhet innen krafthalvledere.

Anlegget sysselsetter i dag rundt 4.800 personer, mens Infineon totalt har om lag 5.800 ansatte i Østerrike. Sammen med universiteter, forskningsinstitutter, oppstartsbedrifter og industrielle partnere utgjør Villach-klyngen et av Europas viktigste miljøer innen mikroelektronikk.

Infineon framhever at den nye fabrikken vil skape synergier med eksisterende forskning og utvikling innen kraftelektronikk ved anlegget. Målet er å styrke Villachs rolle som et globalt kompetansesenter for både avanserte effektkomponenter og nye halvledermaterialer.

Del av Europas halvlederstrategi

Prosjektet passer godt inn i Europas ønske om å redusere avhengigheten av asiatiske og amerikanske leverandørkjeder.

Gjennom European Chips Act har EU etablert omfattende støtteordninger for å øke halvlederproduksjonen på europeisk jord. Europakommisjonen har allerede godkjent statlig støtte på 319 millioner euro til prosjektet. Den formelle tildelingen skal gjennomføres av østerrikske myndigheter.

Østerrikes forbundskansler Christian Stocker omtaler investeringen som en av de største enkeltinvesteringene i landets høyteknologiske industri. Samtidig framhever østerrikske myndigheter at prosjektet kan bidra til å sikre arbeidsplasser, styrke konkurransekraften og øke Europas rolle i den globale halvlederindustrien.

Østerrikes næringsminister Wolfgang Hattmannsdorfer peker på at Europa i dag står for rundt ti prosent av verdens brikkeproduksjon, og argumenterer for at kontinentet må bygge opp egen produksjonskapasitet innen strategisk viktige teknologier.

Marked i kraftig vekst

Bak investeringen ligger forventninger om sterk markedsvekst.

Analysehuset Yole Group anslår at markedet for GaN-effektkomponenter vil nå om lag 3,5 milliarder amerikanske dollar innen 2031. Dette tilsvarer en forventet årlig vekstrate på rundt 35 prosent mellom 2025 og 2031.

Veksten drives av flere parallelle trender. KI-datasentre krever stadig mer energieffektive strømforsyninger. Elektrifisering av transport og industri øker behovet for avansert kraftelektronikk. Samtidig blir kravene til energieffektivitet strengere i alt fra forbrukerelektronikk til datasentre og energiinfrastruktur.

Med etableringen av den nye fabrikken forsøker Infineon å posisjonere seg tidlig for denne utviklingen. Lykkes selskapet med høyvolumproduksjon på 300 mm wafere, kan Villach-anlegget bli et av de viktigste produksjonssentrene for GaN-baserte effektkomponenter globalt, samtidig som Europa får en sterkere posisjon i et marked som ventes å få stor betydning for neste generasjon energieffektive elektroniske systemer.