SiC og GaN får økende betydning

Ifølge ny forskning fra Global Electronics Association og Accuris får teknologiene også konsekvenser for produktdesign, produksjonsprosesser og forsyningskjedestrategier.

Rapporten peker på økende bruk av SiC- og GaN-baserte krafthalvledere i applikasjoner som elektriske kjøretøy, fornybar energi, KI-datasentre, kommunikasjonsinfrastruktur og forbrukerelektronikk. Drivkreftene er behovet for høyere energieffektivitet, mer kompakte konstruksjoner og bedre ytelse i effektelektronikken.

Analysen bygger på komponentdata fra Accuris' databaser og viser hvordan de to bredbåndsgap-teknologiene stiller nye krav til blant annet kretskortdesign, materialvalg, produksjonsprosesser og innkjøpsstrategier. Forskerne understreker derfor at vurderingen av SiC og GaN bør gjøres tidlig i utviklingsløpet, ettersom teknologivalgene kan påvirke både pålitelighet og tilgang på komponenter.

Rapporten fremhever samtidig at SiC og GaN har ulike styrker. SiC vinner terreng i høyspennings- og høyeffektapplikasjoner, mens GaN særlig benyttes der høy svitsjehastighet og kompakt effektkonvertering er avgjørende. Dette gjør at produsenter må tilpasse teknologivalget til den aktuelle applikasjonen og samtidig ta hensyn til konsekvensene for produksjon og forsyningskjede.

Forfatterne peker også på behovet for tettere samarbeid gjennom hele verdikjeden. Utviklingen innen effekthalvledere påvirker alt fra termisk styring og kortdesign til komponenttilgjengelighet og sluttproduktets pålitelighet. Ifølge rapporten kan en helhetlig tilnærming bidra til raskere og mer robust introduksjon av neste generasjon kraftsystemer.

Funnene er samlet i rapporten SiC and GaN Power Devices Are Expanding – What the Parts Data (and the Fab Floor) Tell Us, som er den første i en planlagt serie med analyser av teknologiske og markedsmessige trender i elektronikkindustrien.