Spennende framtid: Gjennomsiktige halvledere

Forskerne ved Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) har kommet fram til en brikke som oppfører seg mye på samme måte som en vanlig CMOS-basert brikke. Blant annet er det en ikke-flyktig hukommelse, noe som betyr at data ikke mistes selv om strømmen er slått av, skriver Applied Physics Letters.

Så hvorfor gjennomsiktig? Det er på mange områder det kan være ønskelig. Noe av det som nevnes er små rom der elektronikken kan integreres i klare områder og dermed frigi plass. Dessuten er den jo nærmest usynlig. Dataskjermer og fjernsyn kan bygges inn i glass eller plastskjermer, totalt gjennomsiktig. Her gjelder også begrepet: Det er bare fantasien som setter grenser. De koreanske forskerne arbeider også med TRRAM på fleksible materialer.

Selv sier forskerne at dette er en ny milepæl for transparente elektronikksystemer. Ved å integrere TRRAM-komponenter i annen transparent elektronikk kan det bygges komplette gjennomsiktige systemer.

På den tekniske siden bygger TRRAM på eksisterende teknologi kjent som resistive random access memory (RRAM). Teknologien er allerede i kommersiell utvikling for framtidens lagringssystemer. RRAM bygger på metalloksid-materialer som er svært transparente. Det forskerne gjorde var å bygge en brikke ved å legge disse materialene mellom like gjennomsiktige elektroder og substrater.

I følge det koreanske forskningsteamet er TRRAM enkelt å produsere og kan bli kommersielt tilgjengelig allerede om tre-fire år. De vil nok ikke erstatte CMOS-brikker, men vil antakeligvis drive elektronikkprodukter i nye retninger.

TRRAM er basert på ITO (indium tinnoksid)/ZnO/ITO kondensatorstruktur og dennes resistive svitsjekarakteristikker. Komponenten de har laget har en gjennomskinnlighet (transmittance) på 81 prosent i det synlige området. Svitsjeegenskapene skal være svært gode under 3 volt. "Holdbarheten", eller evnen til å holde på data er på mer enn ti år, så langt.