Lanserer lavspennings GaN-transistorer

De nye komponentene er rettet mot applikasjoner med høye krav til virkningsgrad og effekttetthet, blant annet KI-datasentre, humanoide roboter, fabrikkautomatisering, motorstyringer, elektroverktøy og solenergisystemer.

Den nye familien består av fire diskrete transistorer: RTP100E005G1FL, RTP100E2P6G1FL, RTP100E1P8G1FL-DSC og RTP100E1P2G1FL-DSC. Ifølge Renesas leverer de bransjeledende ytelse målt som både hard- og soft-switching figure-of-merit (FOM), med opptil 35 prosent bedre hard-switching-FOM og opptil 63 prosent bedre soft-switching-FOM enn sammenlignbare GaN-enheter.

Selskapet peker på at overgangen til 800 V likestrømsdistribusjon og 48 V bussarkitekturer i KI-servere og industrisystemer øker behovet for svitsjefrekvenser i MHz-området. De nye GaN-transistorene skal bidra til lavere svitsjetap, mindre passive komponenter og redusert kjølebehov i slike systemer.

Teknologien bygger på Renesas' lavspente E-mode GaN-plattform og kjennetegnes av lav total gate-ladning (Qg), lav utgangsladning (Qoss) og null revers gjenopprettingsladning (Qrr = 0). Dette reduserer energitapene ved effekkonvertering og muliggjør høyere svitsjefrekvenser. Renesas oppgir at systemnivået kan oppnå 40 til 70 prosent lavere svitsjetap og opptil dobbel effekttetthet sammenlignet med konvensjonelle løsninger.

En viktig egenskap er at komponentene leveres i standard MOSFET-kompatible kapslinger. Dermed kan konstruktører migrere fra silisiumbaserte MOSFET-er uten omfattende redesign av kretskort. Komponentene tilbys med RDS(on)-verdier fra 5 mΩ til 1,2 mΩ og finnes i både bunnavkjølte og dobbeltsidig kjølte utførelser.

Ifølge Renesas gir de nye transistorene typisk 1 til 3 prosent høyere virkningsgrad enn tilsvarende silisiumbaserte løsninger, samtidig som de bidrar til mindre systemstørrelse og lavere energiforbruk. Komponentene er tilgjengelige nå i FCLGA- og FCLGA-DSC-kapslinger, sammen med tilhørende evalueringskort.