Effektive MOSFETs med ny prosess
Toshiba lanserer det de kaller neste generasjons lavspennings MOSFETs.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Toshiba Electronics Europe (TEE) kommer nå med sin nyeste familie lavspenning, ultra-effektive Trench-MOSFET transistorer basert på selskapets neste generasjon U-MOS IX-H halvlederprosess.
De nye MOSFETene skal ha gode RDS(ON)*QOSS (produktet av på-motstand og utgangsladning) tall for denne klassen av komponenter, heter det. Til å begynne med vil de være tilgjengelig i 40V versjoner, og vil utvides i de kommende månedene med spenninger på 30V til 60V. Den første komponenten i serien har en typisk RDS(ON) på kun 0,7mΩ (maks 0,85mΩ) og en typisk utgangskapasitans (Coss) på 1930pF.
Den 40V TPHR8504PL leveres i en ultra-miniatyr SOP-Advance pakke som bare måler 5mm x 6mm.
Aktuelle applikasjoner for denne niende generasjons U-MOS familien vil være DC-DC omformere, synkrone likeretter og andre kraftstyringskretser der laveffekt, høyhastighets svitsjing og minimal kortplass er viktig.
U-MOS IX-H baserte MOSFETs skal være egnet for høy-side og lev-side svitsjing i DC-DC omformere og på synkron likeretting på sekundær side i AC-DC kretser. Ved å redusere RDS(ON)*A verdien, skal U-MOS IX-H teknologien kunne bidra til en reduksjon i silisiumstørrelsen på 65% sammenlignet med den tidligere 40V UMOS VI-H generasjon.
