Lanserer ny «standard» for radartransistor

Mer enn 700 W effekt og høy effektivitet i GaN-SiC HEMT transistor for langpulset radar.

Publisert Sist oppdatert

Ampleon stiller på European Microwave Week (som åpner i dag i Milano) med en rekke nye løsninger innen GaN og LDMOS teknologier, rettet mot bl.a. trådløs infrastruktur, avionikk og forsvar, og en rekke andre anvendelser.

Et viktig høydepunkt vil ifølge selskapet være den helt nye CLL3H0914L-700 GaN-SiC HEMT. Denne robuste GaN transistoren er optimalisert for radarimplementeringer der lang pulsbredde og høye arbeidssykluser er påkrevd.

Transistoren ble utviklet for å oppnå maks utgangseffekt på over 700 W fra en enkelt transistor som opererer med en spenning på 50 V. Effektiviteten skal være over 70%, og komponenten skal være termisk tilpasset langpulsede applikasjoner, slik som pulser på rundt 2 millisekunder og 20% arbeidssykluser.

Disse L Band GaN HEMT ytelsesegenskapene skal være demonstrert i en rekke referansedesign vist på standen - inkludert de for forsvars-/romfartsbånd (960-1250MHz og 1030-1090MHz), pluss en L-bånds bakkeradar (1200-1400MHz) ).

Et datablad for CLL3H0914LS-700 finner du her.

Powered by Labrador CMS