Minnebrikker:
Leverer 9. generasjon BiCS FLASH
Kioxia har startet levering av prøver på sine nye 1 Tbit TLC NAND-flashminnebrikker basert på selskapets niende generasjon BiCS FLASH-teknologi.
De nye komponentene er rettet mot applikasjoner som KI-klare PC-er og smarttelefoner med lave til mellomstore lagringskapasiteter, der høy ytelse er viktig.
Den nye minnebrikken kombinerer en 230-lags minnecellestruktur fra åttende generasjon BiCS FLASH med avansert CMOS-teknologi. Resultatet er en NAND-grensesnitthastighet på 4,8 Gbit/s, som ifølge Kioxia er 33 prosent høyere enn forrige generasjon og på nivå med selskapets tiende generasjons teknologi.
Kioxia bygger videre på sin såkalte dual-axis-strategi, der selskapet utvikler to produktlinjer parallelt. Den niende generasjonen er utviklet for å gi høy ytelse med relativt lave investeringskostnader, mens tiende generasjon fokuserer på maksimal lagringstetthet og ytelse gjennom mer avansert lagstabling.
Teknologien benytter Kioxias CMOS directly Bonded to Array (CBA), der CMOS-kretsene og minnecelle-arrayet produseres separat og deretter sammenføyes. I tillegg benyttes On-Pitch Select Gate Drain (OPS), som reduserer både bitlinjelengde og ordlinjekapasitans ved å fjerne ubrukte minnehull. Begge teknologiene har vært i bruk siden åttende generasjon BiCS FLASH.
Prøveeksemplarene leveres nå til kunder for funksjonsverifisering. Endelige spesifikasjoner kan bli endret før volumproduksjon starter.
