Leverer SiC-teknologi til BMW

ROHM Semiconductor kunngjør at selskapets silisiumkarbidbaserte (SiC) krafthalvledere er tatt i bruk i BMWs kommende elbilplattform «Neue Klasse».

Ifølge ROHM skal SiC-brikkene bidra til høyere virkningsgrad, bedre ytelse og økt pålitelighet i drivlinjen til de nye kjøretøyene.

BMWs Neue Klasse representerer konsernets neste generasjon elektriske kjøretøy og er en sentral del av selskapets elektrifiseringsstrategi. I denne plattformen benyttes ROHMs SiC-teknologi i effektelektronikken, der materialets egenskaper gir lavere effekttap og høyere energieffektivitet enn tradisjonelle silisiumbaserte løsninger.

For bilprodusenter er økt effektivitet i kraftelektronikken viktig både for å forlenge rekkevidden og redusere energiforbruket. SiC-komponenter blir derfor stadig mer utbredt i omformere og andre høyspenningssystemer i moderne elbiler.

ROHM har de siste årene investert betydelig i utvikling og produksjon av silisiumkarbidteknologi, og samarbeidet med BMW markerer en viktig milepæl for selskapet innen bilindustrien. Ifølge pressemeldingen understøtter ROHMs SiC-brikker utviklingen av neste generasjons elektrisk mobilitet gjennom forbedret effektivitet og ytelse i drivlinjesystemene.

BMW har tidligere fremhevet energieffektivitet som et sentralt mål for Neue Klasse-plattformen. At ROHMs SiC-kraftkomponenter nå inngår i arkitekturen, illustrerer hvordan avansert halvlederteknologi får en stadig viktigere rolle i utviklingen av fremtidens elektriske kjøretøy.