Ned til 70-nanometer

Dette er så langt vi kjenner til, industriens første utvikling av 70-nanometer DRAM-prosess med bruk av den såkalte CVD-metoden. Dette er en aluminiumbasert prosess, som innebærer kjemisk pådamping av metallet (Chemical Vapor Deposition). Ifølge Samsung er dette en viktig teknologi innen nanoskala minneproduksjon, ettersom den løser problemer ved eksisterende metoder, og kutter kostnadene med 20%.

Samsung tror de kan ha 70 nm DRAMs innen utgangen av året.

CVD aluminiumprosess regnes som en nøkkelteknologi for interkonnektering for DRAM-produksjon. Den innebærer at ledende filmer formes ved å omforme en metall-organisk kilde, inkludert aluminium, til partikler gjennom kjemiske reaksjoner, og deponere dem på en silisiumoverflate, for å lage ledningsbaner for interkonnekteringskretsene.

Eksisterende prosesser for å legge ledningsbaner har benyttet PVD-metoden (Physical Vapor Deposition), der tynne filmer formes ved å omforme faste materialer til partikler. Men pga. problemer med "void", som betyr at deponeringen av partikler ikke skjer jevnt på overflaten, og således skaper problemer for egenskapene til kretsen, har PVD-metoden vært vanskelig å overføre til prosesser på 90 nm og mindre.

Den aluminiumbaserte CVD prosessen løser derimot ikke bare kavitetsproblemene, men forbedrer også de elektriske egenskapene til ledningsnettet, noe som gjør den godt egnet til produksjon av 70 nm DRAM, ifølge Samsung.