SiC MOSFET for høye spenninger

Bosch lanserer sin tredje generasjon silisiumkarbidbaserte MOSFET-er (SiC), rettet mot høyspente kraftelektroniske applikasjoner innen elektrisk mobilitet, fornybar energi og industriell elektronikk. Den nye generasjonen er utviklet for å møte skjerpede krav til virkningsgrad, effekttetthet og termisk ytelse. Samtidig forbereder Rutronik en utvidelse av sin portefølje for å støtte design‑inn av de nye komponentene.

Overgangen til elektrifiserte systemer øker behovet for halvledere som kan håndtere høye spenninger og svitsjefrekvenser med minimale tap. Sammenlignet med tradisjonelle silisiumkomponenter tilbyr SiC‑teknologi lavere svitsjetap, høyere gjennombruddsspenning og bedre temperaturstabilitet, noe som gir høyere systemeffektivitet.

Boschs Gen3 SiC MOSFET-er er optimalisert for redusert totaltap gjennom en forbedret balanse mellom lav R_DS(on) og kontrollert svitsjedynamikk. Dette er særlig viktig i applikasjoner med høye svitsjefrekvenser og varierende belastning. Reduserte tap og forbedrede termiske egenskaper gjør det mulig å øke effekttettheten og designe mer kompakte og lettere kraftmoduler.

For sluttapplikasjoner kan dette gi lengre rekkevidde i elektriske kjøretøy, bedre energieffektivitet i invertere og økt driftssikkerhet i industrielle systemer.

For de som er interesserte i dypere innsikt i teknologien og bruksmulighetene tilbyr Rutronik et eget webinar. Se informasjon og påmelding her.