Gjennombrudd for MRAM?
IBM og Infineon Technologies AG har oppnådd et gjennombrudd innen MRAM (Magnetic Random Access Memory) ved å integrere magnetisk lagring med en høyytelses logisk base. Det snakkes om en ny generasjon som kan bli tilgjengelig allerede i 2005.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Den nye teknologien har potensiale til å erstatte eksisterende teknologi innen 2005, mener selskapene. Med MRAM kan man for eksempel lage datamaskiner som slår seg av og på øyeblikkelig. Noen og enhver kunne mer enn gjerne ønske seg det...
Selskapene har produsert sine 128Kbit MRAM-kjerner i 0,18 mikrometer prosessteknologi den minste MRAM lagringscelle så langt med sine 1,4 kvadratmikrometer.
MRAM kan lagre mer, er raskere og har mindre (batteri) strømforbruk enn noen lagringsteknologi som benyttes i dag. Derfor har IBM og Infineon stor tro på at dette kan ta over helt om få år.
Infineon og IBM har ti års samarbeidshistorie innen blant annet DRAM. MRAM-programmet ble startet i 2000.
