Flytende transistorer neste

Transistorer basert på flytende kjemi kan bygges som mikrokretser. Men for å konkurrere med silisum må hastigheten opp.

Publisert Sist oppdatert

Denne artikkelen er 2 år eller eldre

Forskere ved IBMs laboratorium i San Jose, California, er i ferd med å utvikle en helt ny transistor basert på flytende kjemikalier.

Elektriske gullkontakter omgir et halvledende materiale kalt vanadium oksid (brunaktig farge). Når spenning legges på ioner i elektrolytten (ikke synlig) som er i kontakt med materialet, svitsjer materialets tilstand fra isolerende til ledende. (Foto: IBM).

Det handler om elektrolyttfylte kanaler i nanostørrelse, der en spenning kan presse et ion mot et oksidert materiale. Den største fordelen er at materialet blir enten ledende eller ikke-ledende – også etter at spenningen er slått av. Det betyr at informasjonen opprettholdes etter at spenningen er av og dermed bli et viktig bidrag til energisparingen som alle er ute etter.

MIT Technology Review skriver at metoden er i et tidlig stadium og at det kan gå fra to til fire år før en virkelig krets kan testes. Men Stuart Parkin, Research Fellow, sier at han har tro på at løsningen kan bli en konkurrent til eksisterende mikrokretser.

Hastigheten er riktignok et problem. I dag regner forskerne med at de flytende transistorene er mellom 10 og 100 ganger langsommere enn dagens transistorer.

Stuart Parkin tror likevel at parallellkoblede transistorer, med sitt lave energiforbruk vil oppveie den lave hastigheten.

Powered by Labrador CMS