Enkel løsning gir SiC-kretser

Silisiumkarbid(SiC)  forventes å bli det dominerende materialet i fremtidens krevende komponenter. Som vi skrev for noen dager siden, har japanske forskere  - etter en rekke mislykkede forsøk - lyktes med å produsere en nærmest feilfri skive.

Silisiumkarbid er et robust materiale som man tenker seg kan erstatte silisium for anvendelser med høye effekter, temperaturer og frekvenser. Hittil har man imidlertid støtt på store problemer med kvaliteten på skivene.

Halvledermaterialet er blitt degradert, og komponentene blitt ”gamle”  i for høy takt.  Dette grunnet for dårlige krystaller med defekter i sin krystallstruktur, som har gjort at materialet har gått i stykker. De japanske forskerne har lykkes i å begrense feilen til færre enn hundre per kvadratcentimeter, ved å vri krystallene i vakuumdampingskammerne vinkelrett,  slik at groingen fortsetter i en ny retning. Dette gjøres med jevne mellomrom, og hver gang groingen endrer seg, tar man samtidig bort en stor del av de opprinnelige feilene. Erik Janzén, materialfysiker og professor i Linköping, sier til Ny Teknik: - Dette er noe av det mest interessante som har skjedd innen området på mange år. Det er et helt nytt materiale. Det er så enkelt at man nesten blir flau, men samtidig skal man huske at det ikke er så lett i praksis.
Erik Janzén har selv utviklet en metode for å produsere silisiumkarbidskivene. Finske Okmetic har investert i en silisiumkarbidfabrikk i Norrköping, der Erik Janzéns idéer skal videreutvikles.