Hard-svitsjing uten dempekretser
Ixys lanserer en serie av robuste 650V IGBT basert på ”extrem-light punch-through”-arkitekturen. Komponentene tåler hard-svitsjing, slik at man i visse tilfeller kan utelate dempekretser
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Designere av kraftapplikasjoner er under konstant press om å leverere konstruksjoner som både er billigere og bedre – og selvfølgelig med høyere ytelse for hver ny generasjon som skal lanseres. Det gjør ikke oppgaven lettere at det samtidig skal tas hensyn til både formfaktor og pålitelighet. De motstridende og tilsynelatende umulige krav utfordrer leverandører av effekthalvedere, siden oppgaven er selvsagt umulig å løse uten riktige komponenter.
Ixys, som distribueres av Trafomo, fremstiller høyeffektive krafthalvledere, og hevder å være en pionér innen høyvolt IGBT-teknologi, noe som skal understrekes med den nye produktporteføljen 650V XPT.
Serien av de nye høyvolt IGBTene spenner fra 16A til 200A, og de nye komponentene er designet for å gi en optimal balanse mellom energitapene ved ”avslått” og spenningen i på-tilstand, spesielt i applikasjoner basert på hard-svitsjing. Siden de nye 650V XPT-komponentene kan svitsje ved frekvenser opp til 60kHz, kan designere bruke færre støttekomponenter i konstruksjonene, siden Ixys også leverer IGBTer med innebygget anti-parallell dioder.
Teknologien bak den nye serien av IGBTer er Ixys’ egen Extreme-light Punch-Through (XPT)-prosessarkitektur-teknologi samt 3. generasjon av den banebrytende GenX3 IGBT-prosessen. Denne kjennetegnes ved sterkt redusert termisk motstand, lav slukkestrøm, små energitap og evnen til å håndtere høyhastighetssvitsjing. Komponentene er også ”avalanche”-ratet og i stand til å motstå kortslutningstilstander, samtidig som de har en kvadratisk Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA) opp til 650V.
I tillegg har den lav port-lading og en positiv temperaturkoeffisient for ”on-state”-spenningen, noe som reduserer kravene til driverkretsene og tillater parallellkobling av flere IGBTer i serien. Muligheten med innebygde dioder minsker ”turn-off”-tap og undertrykker ringing, som ellers ville gitt elektromagnetisk støy i systemet.
De nye IGBTene leveres i kapslinger som TO-220 (regulære og overstøpte), TO-247, TO-263, TO-268HV og SOT-227B. TO268HV er Ixys egen høyvolt-kapsling med økt krypeavstand mellom forbindelsene sammenlignet med standardkapslingen. Eksempler på delenummere er IXYP15N65C3D1M, IXYP10N65C3, IXYH40N65C3H1 og IXYH100N65C3 med nominelle kollektorstrømmer på henholdsvis 16A, 30A, 80A og 200A.
