MOSFET-reléer:

Nye reléer støtter høyhastighets testutstyr

Kompakte MOSFET-reléer fra OMRON for høyhastighets testutstyr.

Publisert

OMRON Electronic Components Europe har lansert nye G3VM MOSFET-reléer utviklet for plasskritiske og ytelseskrevende applikasjoner, som avansert test- og måleutstyr. De nye reléene kombinerer svært liten kapsling med lav kapasitans og raske koblingstider, noe som gjør dem godt egnet for neste generasjons automatisk testutstyr (ATE) og høyhastighets logikktestere.

Reléene leveres i en ultrakompakt 2,0 × 1,45 mm S-VSON(L)-kapsling og veier under 0,01 gram. Den lille formfaktoren muliggjør høy komponenttetthet i systemer med strenge krav til plass og layout. Med pin-til-pin-kapasitans helt ned til 0,6 pF og inn- og utkoblingstider på henholdsvis 0,08 ms og 0,12 ms, støtter reléene rask signalhåndtering ved høye frekvenser. En lekkasjestrøm på kun 1 nA bidrar samtidig til høy målenøyaktighet.

Bakgrunnen for lanseringen er økende krav fra utviklings- og produksjonsmiljøer innen blant annet halvlederteknologi, 5G og autonome robotsystemer, der testutstyr må håndtere flere kanaler, flere målepunkter og kortere testsykluser. Serien omfatter 20 V-variantene G3VM-21QR og G3VM-21QR1 samt 40 V-typen G3VM-41QR4.

De normalt åpne SPST-reléene har den laveste kapasitansen og motstanden i G3VM-familien. Dette gir svært rask svitsjing, reduserer testtiden og gjør det enklere å erstatte mekaniske reléer med halvlederbaserte løsninger i kompakt testutstyr.

Powered by Labrador CMS