Starter volumproduksjon av 650V GaN HEMT

ROHM har startet volumproduksjon av to modeller 650V GaN (Gallium Nitride) HEMT; GNP1070TC-Z og GNP1150TCA-Z som er optimalisert for et bredt spekter av strømforsyningssystemer. Disse nye produktene er utviklet i fellesskap med Ancora Semiconductors, Inc., et datterselskap av Delta Electronics, Inc., som utvikler GaN-komponenter.

Å forbedre effektiviteten til strømforsyninger og motorer, som står for det meste av verdens elektrisitetsforbruk, har blitt et betydelig hinder for å oppnå et avkarbonisert samfunn. Adopsjon av nye materialer som GaN og SiC mener mange er nøkkelen til å oppnå bedre effektivitet i strømforsyninger.

Etter å ha startet masseproduksjon av 150V GaN HEMT-er – med en portbruddspenning på 8V i 2022 – etablerte ROHM i mars 2023 kontrollkrets-teknologi for å maksimere GaN-ytelsen. Denne gangen har ROHM utviklet 650V GaN HEMT-er med det de hevder er markedsledende ytelse, gjennom høyere effektivitet og mindre størrelse i et bredere utvalg av strømforsyningssystemer.

GNP1070TC-Z og GNP1150TCA-Z leverer bransjeledende ytelse når det gjelder RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, et verditall for GaN HEMT-er, som betyr høyere effektivitet i strømforsyningssystemer. Samtidig forbedrer et innebygd ESD-beskyttelseselement elektrostatisk nedbrytningsmotstand opp til 3,5 kV, noe som fører til høyere pålitelighet i applikasjoner. GaN HEMTs høyhastighets svitsjeegenskaper bidrar også til større miniatyrisering av perifere komponenter.

ROHM fortsetter å forbedre ytelse gjennom sin egen EcoGaN-serie av GaN-kretser som bidrar til større energisparing og miniatyrisering.

«Mens vi utvikler ROHM-produkter, vil vi også fremme felles utvikling gjennom strategiske partnerskap for å bidra til å løse sosiale problemer ved å gjøre applikasjoner mer effektive og kompakte.», heter det i pressemeldingen fra selskapet.