Kraftelektronikk:
2000V SiC MOSFET
Infineons nye CoolSiC MOSFETs 2000 V tilbyr økt effekttetthet uten å redusere systempåliteligheten.
Infineon Technologies AG introduserer de nye CoolSiC MOSFETs 2000 V for å møte designeres krav om økt strømtetthet uten å gå på akkord med systemets pålitelighet – selv under krevende høyspennings- og svitsjefrekvensforhold.
CoolSiC MOSFETene tilbyr en høyere DC-linkspenning slik at effekten kan økes uten å øke strømmen.
Ifølge selskapet er det den første diskrete silisiumkarbidkomponenten med en gjennomslagsspenning på 2000 V på markedet. Den kommer i en TO-247PLUS-4-HCC-pakke med en krypeavstand på 14 mm og klaringsavstand på 5,4 mm.
Med lave svitsjetap er enhetene egnet for solenergi (f.eks. strenginvertere) så vel som energilagringssystemer og ladeapplikasjoner for elektriske kjøretøy, får vi opplyst.
