Renesas kjøper GaN-selskap

Renesas Electronics Corporation og Transphorm, Inc. kunngjør i dag at de har inngått en endelig avtale der et underbruk av Renesas vil kjøpe alle utestående aksjer i Transphorm.

Transaksjonen verdsetter Transphorm til omtrent 339 millioner dollar. Oppkjøpet vil gi Renesas intern GaN-teknologi, et nøkkelmateriale for neste generasjons krafthalvledere, og utvide rekkevidden til raskt voksende markeder som elbiler, databehandling (datasentre, AI, infrastruktur), fornybar energi, industriell kraftkonvertering og hurtigladere/adaptere.

Etterspørselen etter høyeffektive kraftsystemer øker som byggesteiner for karbonnøytralitet. For å møte denne trenden ser man også en bransjeomfattende overgang mot materialer med bredt båndgap (“WBG”), representert av silisiumkarbid (SiC) og GaN. Disse avanserte materialene tillater et bredere spekter av spenning og svitsjefrekvens enn konvensjonelle silisiumbaserte enheter. For å bygge videre på dette momentumet har Renesas kunngjort etablering av en egen SiC-produksjonslinje, støttet av en 10-årig leveringsavtale for SiC-skiver.

Renesas har nå som mål å utvide sin WBG-portefølje ytterligere med Transphorms ekspertise innen GaN, et fremvoksende materiale som muliggjør høyere svitsjefrekvens, lavere strømtap og mindre formfaktorer. Disse fordelene gir kundenes systemer større effektivitet, mindre og lettere sammensetning og lavere totalkostnad.

Som sådan er etterspørselen etter GaN spådd å vokse med mer enn 50 prosent årlig, ifølge en bransjestudie selskapet viser til. Renesas vil implementere Transphorms bilkvalifiserte GaN-teknologi for å utvikle nye forbedrede kraftløsninger, som X-i-1 drivlinjeløsninger for elbiler, sammen med databehandling, energi, industri og forbrukerapplikasjoner, opplyser de i en pressemelding i dag.