Kraftelektronikk:
100V N-kanals MOSFET med bedre ytelse
Toshiba lanserer 100V N-kanals MOSFET med 2,7mΩ i en 5,15mm x 6,1mm-kapsling basert på U-MOS11-H-prosessen – skal være egnet for industrielt utstyr.
Toshiba Electronics Europe GmbH har lansert TPH2R70AR5, en ny 100V-klassifisert N-kanal-strøm-MOSFET produsert med sin nyeste generasjons prosess, kjent som U-MOS11-H. MOSFETen vil ifølge selskapet primært bli brukt i SMPS-applikasjoner (switched-mode power supply), spesielt høyeffektive DC-DC-omformere. Viktige applikasjonssektorer vil være innen datasentre, kommunikasjonsbasestasjoner og annet avansert industriutstyr.
På grunn av den avanserte 100V U-MOS11-H-prosessen tilbyr TPH2R70AR5 betydelige ytelsesfordeler i forhold til enheter produsert med den eksisterende U-MOSX-H-prosessen, opplyser Toshiba. For eksempel, sammenlignet med den tidligere TPH3R10AQM, har drain-source-på-motstanden (RDS(ON)) redusert med rundt 8 % til bare 2,7 mΩ (maks.), mens den totale gate-ladningen (Qg) nå er 37 % lavere ved 52 nC (typ.). RDS(ON) x Qg-verdien (FoM) er derfor forbedret med 42 %.
I tillegg oppnår TPH2R70AR5 høyhastighets diodeytelse gjennom bruk av livstidsstyringsteknologi. Som et resultat, sammenlignet med TPH3R10AQM, forbedres svitsjehastigheten, og i tillegg reduseres diodegjenopprettingstid og støy. Livstidsstyringsteknologi reduserer også revers gjenopprettingsladning (Qrr) til 55 nC (typ.) og undertrykker spenningstopper. RDS(ON) x Qrr FoM skal være forbedret med rundt 43 %.
