Verdens raskeste transistor
Den nye rekorden er på 110 GHz
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Universitetet i Southamton har bygget verdens raskeste transistor i bipolar standardteknikk, ved å dope den med fluor. Frekvensen (cut-off frequency) på 110 GHz innebærer en dobling av den gamle verdensrekorden.
Ifølge en av forskerne bak prosjektet, professor Peter Ashburn, er hastigheten på et nivå som man tidligere bare kunne oppnå i silisium-germanium.
Ved å dope silisiumet med fluor har forskerne lykkes i å dempe bordiffusjonen i transistorbasen. Da går elektronene raskere gjennom den, heter det. Peter Ashburn tror for øvrig det er mulig å øke frekvensen med ytterligere 50%.
Utviklingsarbeidet er gjort i samarbeid med ST Microelectronics, og mer om prosjektet finner du på http://eprints.ecs.soton.ac.uk/12112/.
(ElektronikTidningen)
