Nye materialer i Penryn
Intel har valgt to nye materialer for dielektrikum og styreelektrode i transistorene i de nye prosessene for 45 nm kretser, inkludert den nye Penryn-prosessoren. Selv Gordon Moore er imponert.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Disse nyvinningene har Intels grunnlegger, den levende legenden Gordon Moore (78), selv betegnet som den største endringen i halvlederverdenen på 40 år.
De første prototypene i Penryn-familien inneholder to nye materialer. Som dielektrikum er silisiumoksiden erstattet med et materiale basert på grunnstoffet hafnium. Med silisiumoksid var man nede på en tykkelse på kun1,2 nm, tilsvarende fem atomlag, ved 65 nm prosessen. Det var mulig å lage tynnere skikt, med det ville ført med seg alt for store lekkstrømmer.
Med hafniummaterialet, som har høy k-faktor, kan dielektrikumet gjøres tykkere, samtidig som lekkstrømmene reduseres med en faktor på ti. Dermed kan drivstrømmene økes med over 20 prosent, melder selskapet. .
I styreelektroden (gate) i transistorene brukes et annet, nytt materiale, men hva dette består av røpes ikke, annet enn at det er en kombinasjon av ulike metaller.
Med de tekniske nyvinningene lover Intel at 45 nm kretsene får 30 prosent lavere strømforbruk enn forgjengerne i 65 nm teknologi. I tilllegg blir det mulig å fortsatt benytte litografi med 193 nm bølgelengde. Det betyr selvsagt store besparinger på utstyrsbudsjettet.
