Ny kapsling tøffere enn BGA Amerikanske Endicott Interconnect lanserer PTFE-basert halvlederkapsling som tillater signalhastigheter på 12 Gb/s. Einar Karlsen Einar Karlsen Publisert 22.02.2008 - 13:50 Annonse Denne artikkelen er 2 år eller eldre komponenter produkt
100V N-kanals MOSFET med bedre ytelse Toshiba lanserer 100V N-kanals MOSFET med 2,7mΩ i en 5,15mm x 6,1mm-kapsling basert på U-MOS11-H-prosessen – skal være egnet for industrielt utstyr.
Utveksler pakketeknologi for kraftelektronikk ROHM og Infineon samarbeider om kraftelektronikkpakker i silisiumkarbid for å forbedre kundenes fleksibilitet – skal også utvikle kompatible pakker.
