Gjennombrudd for NAND Flash
Samsung hevder å ha gjort et gjennombrudd for NAND minnebrikker for mobile enheter, ikke minst når det gjelder hastighet og strømforbruk.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Siden slutten av forrige uke har det koreanske selskapet levert 30 nanometer, 32 gigabit «multi level cell» NAND-hukommelse med asynkront DDR-grensesnitt.
I følge selskapet er det mulig å oppnå dataoverføring med dobbelt så stor hastighet, uten å bruke mer strøm. Brikken leser med en hastighet på 133 megabit pr sekund. En «single rate» NAND klarer kun 40 megabit pr sekund.
NAND-brikken er rettet mot SSD-markedet, det vil si Flash i de fleste tilfeller, for PC, SD minnekort for smarttelefoner, mediaspillere (video, lyd) og navigasjonssystemer.
(elektronikknett.no er ikke ansvarlig for innhold i eksterne lenker)
