Første 20nm NAND
Samsung er igjen tidlig ute med nye prosessteknologier. Nå setter de i gang 20nm NAND.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Samsung Electronics Co., Ltd., har nå satt i gang industriens første fullskala produksjon av 20 nanometer (nm) NAND brikker, for bruk i Secure Digital (SD) minnekort og innvevde minneløsninger.
Lanseringen av 32 gigabit (Gb) MLC NAND basert på denne nye teknologien vil ifølge en pressemelding fra selskapet bety en utvidelse av tilbudet av minnekortløsninger for smarttelefoner, avanserte IT-applikasjoner og høyytelses minnekort.
Dette kommer bare ett år etter at Samsung satte i gang produksjon av 30nm NAND. – Den nye 20 nm NAND-teknologien er ikke bare et betydelig fremskritt innen prosessdesign, men vi har også innlemmet avanserte teknologier for å muliggjøre betydelige ytelsesforbedringer, kommenterer Soo-In Cho, som leder selskapets minnedivisjon.
Den nye MLC NAND skal ha 50% høyere produkstivitetsnivå enn tilsvarende 30nm NAND. Blant annet har den 30% raskere skrivehastighet i tillegg til større tetthet. Lesehastigheten er 20MB/s, mens skrivehastigheten er 10MB/s).
Minnekort basert på 20nm-klassen vil være tilgjengelig fra 4GB til
64GB størrelser.
