Forandrer de DRAM-markedet?

Amerikanske Innovative Silicon Inc. (ISi), som har utviklet en IP for for høytetthets hukommelse kalt Z-RAM, og Hynix Semiconductor Inc., Korea, melder i dag at de har inngått en avtale der Hynix lisensierer ISi’s Z-RAM for bruk i deres DRAM-brikker.

En Z-RAM-basert DRAM vil bruke en enkelt transistor bitcelle – fremfor en kombinasjon av transistor- og kondensatorelementer. Dette representerer den første fundamentale endring i DRAM bitcelle siden oppfinnelsen av DRAM tidlig på 70-tallet, hevder selskapene. Hynix blir den første til å bringe Z-RAM til markedet, og for å sikre forspranget har begge selskaper satt av betydelige utviklingsressurser som skal arbeide side ved side i dette programmet.

Z-RAM ble opprinnelig utviklet for å være verdens rimeligste innvevde hukommelsesteknologi for logikkbaserte kretser i brikkesett for mobilkommunikasjon, mikroprosessorer, nettverk og andre forbrukerapplikasjoner. Den skiller seg fra dagens standard DRAM- og SRAM-løsninger siden bitcelle-arkitekturen med enkeltcelletransistor (1T) er verdens minste hukommelsescelle. På grunn av den høye tetthetsgraden vil den også bli verdens rimeligste halvlederbaserte hukommelsesløsning, hevdes det.

Én transistor bitcelle er gjort mulig ved å utnytte en såkalt "Floating Body Effect" (FBE) som finnes i kretser som produseres med SOI-skiver (silisium-på-isolator). Videre, siden Z-RAM utnytter en naturlig SOI-effekt, kreves ikke noen spesielle prosessendringer for å bygge kondensatorer eller andre komplekse strukturer i bitcellen.

Teknologien ble lisensiert første gang i desember 2005 av AMD for deres kommende mikroprosessordesign. Nå, i forbindelse med avtalen med Hynix, kommer Z-RAM i en posisjon der de blir den rimeligste hukommelseteknologien i et marked som er på over 30 milliarder dollar.