Demonstrerer 45nm kretser
Intel først ute med å demonstrere fungerende kretser i 45nm prosess.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Selskapet demonstrerte nylig en SRAM med over en milliard trnasistorer, produsert i 45 nm silisium.
Denne teknologien gir plass til dobbelt så mange transistorer som den foregående 65 nm prosessen dermed holder Intel også liv i Moores lov om at prosessorytelsen dobles hver 18. måned.
I tillegg svitsjer transistorene 20 % raskere og trekker 30 % mindre strøm, ifølge Intel. Vår 45-nm teknikk danner grunnlaget for morgendagens PC, med høyere ytelse pr. watt, kommenterer Bill Holt, ansvarlig for Intels teknologi- og produksjonsgruppe.
Kretsene er produsert i Intels fabrikk i Oregon. De rommer 153 Mbit og måler 119 kvadratmillimeter. Forøvrig inneholder brikkene PROM-matriser, faselåste sløyfer, inn- og utganger, og en testsløyfe.
Produksjonen omfatter 193mm tørrlitografi, kobberforbindelser, dielektrika med lav k-verdi, strukket silisium m.m. Intel regner med at 45 nm kretser vil være i masseproduksjon i 2007.
