90nm i masseproduksjon
Samsung melder at som den første i industrien, skal de masseprodusere 512Mb DDR SDRAM i 90 nanometer-teknologi.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Brikkene skal produseres på 300 mm skiver, og vil bli tilgjengelig i 400 og 333 MHz-versjoner. Selskapet sier dessuten at overgangen fra 0,10 mikron til 0,90 nm gir en produksjonsøkning på 40 prosent.
Og her er grunnen til at de får det til: En lyskilde av kortbølge Argon Fluorid (ArF) som håndterer de små linjebreddene, høydielektrisk Alumina Hafnium Oksid (AHO) lagt inn i kondensatoren for å forsterke datalagringskarakteristikker, samt Samsungs egen Recessed Channel Array Transistor (RCAT) som blant annet forsterker kondensatorene.
Dataquest tror at DRAM-markedet vil se en overgang fra 256Mb til 512Mb fra annet halvår i år, mens i 2005 vil 512Mb-markedet nå rundt 13 milliarder dollar.
