1-Gigabit OneNAND Flash
Samsung med 1Gb Flashminne i sin 90nm OneNAND-serie.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Halvlederprodusenten Samsung Electronics Co., Ltd., kunngjorde i dag at de har lykkes i å utvikle en 1Gigabit (Gb) OneNAND Flash krets ved hjelp av selskapets 90nm prosessteknologi. Disse komponentene skal blant annet kunne støtte de nye, avanserte multimediafunksjonene i neste generasjon mobiltelefoner og andre trådløse anvendelser.
Samsungs OneNAND krets, som tilbyr et nytt, såkalt Unified Storage konsept, skal kombinere de raske datalesningsfunksjonene i NOR flash og avansert datalagring i NAND flash.
Komponenten har et 66MHz synkront grensesnitt og cachelesefunksjon som muliggjør en forbedret ytelse på 108MBytes per sekund (MBps), og kretsen gir dermed en fire ganger så høy hastighet som konvensjonelle NAND flashkomponenter, heter det. Den økte lesehastigheten eliminerer blant annet forsinkelsen i kopiering av oppstartskoden fra NAND flash til DRAM, samt eksekvering av applikasjoner på forespørsel
