Ny 16Gb DDR4 SDRAM
Alliance Memory kunngjør at de har utvidet sin portefølje av CMOS DDR4 SDRAM med en ny 16 Gb-enhet i 96-kulers FBGA-pakke.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Komponenten med betegnelsen AS4C1G16D4 062BCN skal gi brukerne et alternativ med høyere tetthet for et bredt spekter av applikasjoner, og gi forbedret ytelse sammenlignet med tidligere generasjons DDR3 SDRAM-er, med lavere strømforbruk og høyere hastigheter og overføringshastigheter.
Den har en lav driftsspenning på 1,2 V og har en innebygd 8n-prefetch arkitektur for klokkehastigheter opp til 3200 MT/s. Videre støtter den sekvensielle og overlappende burst-typer med lese- eller skriveburstlengder på BC4, BL8, og «on the fly».
Kommersielt temperaturområde er 0°C til +95°C.
Aktuelle anvendelser kan være diverse bærbar elektronikk, slik som smarttelefoner og nettbrett, samt 5G design, ulike prosesseringsapplikasjoner, overvåkingssystemer, smartmålere, menneske-maskingrensesnitt (HMI), digitale signalkontrollere, og PND (premodulasjonsprosessor).
