
3D-struktur gir 256 Gb Flash
Toshiba melder i dag at de har utviklet verdens første 256Gb, 48-lags BiCS Flash-minne.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Toshiba Corporation lanserte i dag den nye generasjonen med BiCS Flash, en minneteknologi med tredimensjonal (3D), lagvis cellestruktur.
Den nye komponenten hevdes å være verdens første 256-gigabit (32gigabytes) 48-lags BiCS-enhet, og anvender også en spesiell 3-bit-per-celle (trippelnivå celle, TLC) teknologi.
Selskapet opplyser at produktene vil være tilgjengelig i prøvevolumer i september i år.
Den 4b-lags 3D-prosessen skal ha vesentlige fordeler overfor vanlig todimensjonal NAND flashminne, både med hensyn til kapasitet og bedre lese/skrivepålitelighet og –varighet.
Anvendelser for den nye 256Gb komponenten spenner fra forbruker-SSD, smartelefoner og panelPCer til minnekort og SSD for store datasentre.