10-nanometer klasse DRAM i produksjon
Samsung Electronics har nå startet masseproduksjon av industriens første 10-nanometer (nm) klasse DRAM.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Nå skal man riktignok skille mellom eksakt 10 nanometer og 10 nanometer ”klasse” prosesser. Sistnevnte beskriver en prosessnode et sted mellom 10 og 19 nanometer (nm), på samme måte som 20nm-klasse betyr en prosessnode mellom 20 og 29 nm.
Samsung har like fullt åpnet for “10nm-klasse DRAM” for første gang i industrien, etter å ha løst tekniske utfordringer i forbindelse med skalering av DRAM. Blant annet ved å ta i bruk tilgjengelig ArF (argon fluorid) immersjonslitografi, uten bruk av EUV (extreme ultra violet) utstyr.
De første komponentene er 8-gigabit (Gb) DDR4 (double-data-rate-4) DRAM brikker, og moduler basert på disse.
DDR4 er ifølge selskapet raskt i ferd med å bli den mest produserte minnetypen for PCer og nettverksutstyr i verden, og nyvinningene vil bidra til videre vekst i bruk av avanserte DDR4-produkter, heter det.
