Raskere og litt dyrere

F-RAM er ferroelektrisk ikke-flyktig
hukommelse (RAM) med helt andre egenskaper enn for eksempel EEPROM og
SRAM som de gjerne sammenligner seg med. Ytelsen er det i hvertfall
ingenting å si noe på. I følge markedssjef Duncan
Bennett er skrivehastigheten 500 ganger raskere enn EEPROM, den kan skrives til 100 millioner
ganger, som i praksis er uendelig. På effektsiden krever den
3000 ganger mindre energi enn EEPROM. Bennett nevner at den for
eksempel har en SPI (serial peripheral interface) aktiv strøm
på 38 µA/MHz sammenlignet med 500 µA/MHz som kreves
for EEPROM og Flash. F-RAM har også sovemodus for å kunne
spare enda mer strøm.

Dette er også frittstående
hukommelsesbrikker der de har tre hovedtyper, parallell F-RAM som kan
sammenlignes med SRAM. Den har kapasiteter fra 64 Kb til 4 Mb.
Seriell F-RAM, sammenlignbar med EEPROM. Disse er utstyrt med SPI og
I2C grensesnitt. Det samme har den siste typen, nemlig en brikke
kvalifisert for motorkjøretøyer.

Det er i dette siste segmentet F-RAM
kan bli svært aktuell. I USA er det mer og mer vanlig at biler
er utstyrt med en EDR (Event Data Recover), en liten "sort boks"
som tilsvarer det man har hatt i fly i en årrekke. EDR-boksen
skal ta opp hva som skjer fra ti sekunder før et uhell eller
kollisjon. Da må data skrives fort, og det må være
pålitelig.

F-RAM har den egenskapen at elektronene
ikke flyter fritt og gjerne vil "rømme", som de gjør
med andre teknologier. Atomene flytter seg enten opp eller ned ved
strømpåtrykk og blir der til de får strøm
igjen. Derfor er de også svært egnet til hva de kaller
tilstandskontroll. Det vil si hvis utstyr blir slått av ved for
eksempel et strømbrudd, vil radioen, eller hva det enn er,
komme tilbake med samme stasjon og volum når den blir slått
på igjen. Enkelt forklart.

Foreløpig er F-RAM spesifisert i
temperaturområdet -40 til +125 grader Celsius, litt avhengig av
modell. Men Bennett røper at de har fått forespørsel
fra bilindustrier om spesifikasjoner opp til 175 grader. Svaret de
har gitt er at det lar seg sikkert ordne.

Nyheten i deres V-familie er en seriell
512 kilobit F-RAM, kalt FM25V05. Denne er ideell i applikasjoner som
krever rask skriving av data, får vi vite. Skrivehastigheten er
på hele 40 megabit pr sekund. Den er utstyrt med SPI og leveres
i en åtte pinner SOIC-pakke. Typiske områder er som
erstatning for seriell EEPROM og seriell flash, innenfor måling,
industrikontroll, medisin, bilindustri, forsvar, osv osv. En versjon
med 1 megabit hukommelse finnes også.

Temperaturområdet for denne er
-40 til +85 grader. Strømtrekk ved drift ligger på 3
milliampere ved 40 Mhz SPI, 90 mikroampere i standby og 5 mikroampere
i sovemodus. Typisk aktivt trekk er 38 mikroampere pr MHz.

For å hindre kopiering og
utbredelse av falske komponenter er brikken utstyrt med et unikt
ID-nummer som kun kan leses, ikke skrives over.

Prismessig får vi vite at avhenig av applikasjon, ligger de 30 til 40 prosent over flash og EEPROM, noen ganger dobbelt så dyr. Men som nevnt, levetiden er noe helt annen.

Ramtron er et relativt lite selskap med
115 ansatte. I fjor omsatte de for 51 millioner dollare, første
halvår i år viste en omsetning på 29,8 millioner
dollar. De er svært fornøyd med en årlig vekst på
rundt 25 prosent.