650 V IGBT med lavt effekttap

De nye komponentene er utviklet for blant annet elektriske kompressorer og høyspenningsvarmere i elbiler, samt omformere i industrielt utstyr. Ifølge selskapet oppnår komponentene klassens laveste ledningstap for bilgodkjente 650 V IGBTer, med en VCE(sat) på 1,55 V.

Behovet for mer energieffektive og kompakte kraftelektronikksystemer øker i takt med elektrifiseringen av kjøretøy og industriutstyr. Mens SiC-teknologi i økende grad brukes i høyytelsessystemer som trekkraftomformere, er silisiumbaserte IGBTer fortsatt utbredt i hjelpesystemer med lavere effektbehov, som elektriske kompressorer og høyspenningsvarmere.

For å møte kravene til både virkningsgrad og robusthet har ROHM redesignet komponentstrukturen, inkludert prosess- og kanttermineringsteknologi. Dette skal gi høyere strømtetthet og redusere både lednings- og svitsjetap. Samtidig opprettholdes høy kortslutningstoleranse med en tåleevne på 7 µs ved en skjøttemperatur på 25 °C.

Produktfamilien omfatter tolv kapslede varianter i TO-247N-serien (RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR) og ti waferbaserte produkter i SG83xxWN-serien. ROHM utvikler også tolv nye varianter i TO-247-4L-kapsling. Utvalgte produkter er allerede tilgjengelige, og TO-247N-versjonene kan bestilles gjennom distributører som DigiKey og Farnell.

Selskapet opplyser at det videre arbeidet vil omfatte både utvidelse av eksisterende serier og utvikling av mer kompakte OFM-baserte IGBTer i TO-263L- og kapslinger med kjøling på oversiden.  Målet er å bidra til høyere energieffektivitet og mindre systemløsninger i både kjøretøy og industrielt utstyr, heter det.