Gatedriver for GaN-komponenter

ROHM har utviklet en isolert gatedriver-IC – BM6GD11BFJ-LB. Den skal være spesielt utviklet for å drive HV-GaN HEMT-er. Kombinert med GaN-enheter muliggjør denne driveren stabil drift under høyfrekvente og høyhastighets svitsjeforhold – noe som bidrar til større miniatyrisering og effektivitet i høystrømsapplikasjoner som motorer og serverstrømforsyninger.

Etter hvert som det globale energiforbruket fortsetter å øke, har energisparende initiativer blitt en felles global prioritet. Motorer og strømforsyninger alene anslås å stå for omtrent 97 % av verdens totale strømforbruk. Å oppnå høyere effektivitet i disse systemene er i økende grad avhengig av å bruke enheter med bredt båndgap som SiC og GaN for å kontrollere og konvertere strøm mer effektivt.

Den nye komponenten benytter proprietær innebygd isolasjonsteknologi for å redusere parasittisk kapasitans, noe som muliggjør høyfrekvent drift opptil 2 MHz. Dette skal maksimere høyfrekvente svitsjemuligheter til GaN-komponenter. Ifølge produsenten bidrar dette ikke bare til større energieffektivitet og ytelse i applikasjoner, men reduserer også monteringsområdet ved å minimere størrelsen på periferikomponenter. 

Samtidig har CMTI (Common-Mode Transient Immunity – en indikator på støytoleranse i støyisolerte gatedriver-IC-er) blitt økt til 150 V/ns – 1,5 ganger høyere enn konvensjonelle produkter – noe som forhindrer funksjonsfeil forårsaket av de høye slew-ratene som er typiske for GaN HEMT-svitsjing. Minimum pulsbredde har også blitt redusert til bare 65 ns, 33 % mindre enn konvensjonelle produkter. Disse ytelsesforbedringene skal muliggjøre stabil og pålitelig drift ved høyere frekvenser, samtidig som effekttap minimeres gjennom bedre arbeidssyklus-kontroll. 

Med et gate-drive-spenningsområde på 4,5 V til 6,0 V og en isolasjonsspenning på 2500 Vrms, er BM6GD11BFJ-LB designet for å støtte et bredt spekter av høyspennings GaN-enheter, inkludert ROHMs nylig tilføgte 650 V EcoGaN HEMT. Det lave strømforbruket på utgangssiden på 0,5 mA (maks.) reduserer også standby-effekten, noe som forbedrer den generelle systemeffektiviteten, får vi opplyst.