SiC går inn i KI-æraen

Kraftelektronikk basert på silisiumkarbid (SiC) er i ferd med å få en ny og kraftig vekstdriver: kunstig intelligens. Ifølge en fersk analyse fra Yole Group vil det globale markedet for kraft-SiC nå 11 milliarder dollar innen 2031, med en årlig vekstrate på rundt 20 prosent i perioden fra 2025.

Tradisjonelt har elektriske kjøretøy vært den viktigste driveren for SiC-adopsjon, men utviklingen av KI-datasentre og ny digital infrastruktur endrer nå dette bildet. Den økende etterspørselen etter regnekraft krever betydelig høyere energinivåer og mer effektive strømforsyninger, noe som åpner nye muligheter for SiC-teknologi.

Datasentre driver ny etterspørsel

KI-datasentre peker seg ut som et nytt vekstområde for sammensatte halvledere. Yole estimerer at markedet for slike substrater til kraftelektronikk kan nå rundt 2 milliarder dollar innen 2031, med datasenterinfrastruktur som en sentral bidragsyter.

For å håndtere den økende effektbelastningen i såkalte “KI-fabrikker” jobber industrien med nye strømforsyningsarkitekturer. Dette inkluderer overgang fra 48/54 V rackdistribusjon til høyspente DC-løsninger, som tre-fase HVDC og videre mot 800 VDC/±400 V. SiC er godt posisjonert i denne utviklingen, takket være høy svitsjespenning, lavere tap og høyere effekttetthet.

Fortsatt vekst i transport og energi

Selv om KI gir nye muligheter, vil elektrifisering av transport og energisystemer fortsatt være sentrale drivere. Spesielt peker rapporten på økt utbredelse av 800V batterielektriske kjøretøy, som krever betydelig mer SiC-innhold enn tidligere plattformer. Innen 2031 forventes slike 800V-systemer å utgjøre om lag halvparten av globale BEV-leveranser.

I tillegg bidrar fornybar energi, energilagring, ladeinfrastruktur og jernbanesystemer til å styrke etterspørselen etter SiC-komponenter.

Industri i rask omstilling

Samtidig gjennomgår SiC-industrien en omfattende transformasjon. Over 30 milliarder dollar er investert globalt for å møte etterspørselen, og produksjonen beveger seg fra 150 mm til 200 mm waferplattformer for å øke kapasitet og redusere kostnader.

Kina styrker også sin posisjon langs hele verdikjeden, fra skiver til ferdige komponenter, noe som kan påvirke konkurransedynamikken i årene fremover.

Mer enn bare bilmarkedet

Ifølge Yole-analytiker Ahmad Abbas er SiC ikke lenger en teknologi dominert av bil-segmentet.

– Fremveksten av KI-datasentre skaper en ny etterspørselsdriver ved siden av elbiler, fornybar energi og energilagring, noe som gjør markedet mer diversifisert og robust, sier han.

Kollega Poshun Chiu peker på at neste vekstfase vil drives av bredere elektrifisering av både energi- og digital infrastruktur.

Nøkkelteknologi for neste generasjon

Samlet sett peker analysen på at høyere spenninger, større skiver og bredere bruk av SiC vil være sentrale drivere for innovasjon i kraftelektronikk fremover. Med økende krav til energieffektivitet og krafttetthet i både datasentre og energisystemer, blir SiC en nøkkelteknologi i den videre industrialiseringen av både digital og elektrifisert infrastruktur.