GaN og SiC for drivlinjer

Nexperia og Aurobay Technologies har kunngjort at de vil undersøke mulighetene for et tettere samarbeid om avanserte krafthalvledere for bilindustrien. Målet er å kombinere Nexperias kompetanse innen galliumnitrid (GaN) og silisiumkarbid (SiC) med Aurobays erfaring innen utvikling og integrasjon av drivlinjesystemer.

Selskapene bygger videre på et eksisterende samarbeid der Nexperias GaN-komponenter er tatt i bruk i Aurobays integrerte kraftgenereringssystem for rekkeviddeforlengere. Ifølge selskapene viste prosjektet hvordan bredbåndsgapteknologier kan bidra til høyere virkningsgrad, redusert størrelse og lavere vekt i krevende kjøretøyapplikasjoner.

Den planlagte samarbeidsutforskningen skal blant annet vurdere hvordan kraftelektronikken i trekkraftomformere og kraftgenereringssystemer kan optimaliseres ytterligere. Selskapene vil se nærmere på felles utviklingsmetoder som tidlig samdesign og systemoptimalisering.

Både GaN- og SiC-teknologi regnes som viktige byggesteiner for neste generasjon elektrifiserte kjøretøy. Materialene gjør det mulig å operere ved høyere frekvenser og temperaturer enn tradisjonelle silisiumbaserte komponenter, noe som kan gi mer kompakte og energieffektive løsninger.

Edoardo Merli, leder for Wide-Bandgap, IGBTs and Modules i Nexperia, sier at GaN- og SiC-teknologier gir betydelige muligheter for å forbedre virkningsgrad, effekttetthet og systemytelse i kjøretøy. Gjennom et nærmere samarbeid med Aurobay ønsker selskapet å få bedre innsikt i systemkravene og evaluere hvordan avanserte halvlederteknologier kan gi målbare fordeler på kjøretøynivå.

Aurobay Technologies er en del av Horse Powertrain, et fellesforetak mellom Renault Group og Geely. Selskapet har ti fabrikker og to FoU-sentre i Europa og Asia og leverer drivlinjeteknologi til globale bilprodusenter. Nexperia har hovedkontor i Nederland og leverer mer enn 100 milliarder halvlederkomponenter årlig til markeder som bilindustri, industriell elektronikk og forbrukerelektronikk.