Kraftelektronikk:
Strategisk SiC-samarbeid
Navitas Semiconductor og Magnachip Semiconductor har inngått et strategisk partnerskap for å akselerere bruken av silisiumkarbid (SiC) i høyspennings- og ultrahøyspenningsapplikasjoner.
Blant annet gir avtalen Magnachip tilgang til Navitas' GeneSiC-teknologi for spenningsnivåer fra 1200 V og oppover, opplyser de to selskapene i en pressemelding.
Som en del av avtalen vil Magnachip lisensiere Navitas' GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP)-teknologi for å etablere seg i markedet for høyspente og ultrahøyspente SiC-komponenter. Lisensen omfatter 1200 V-, 2300 V- og 3300 V-teknologi, samt løsninger for enda høyere spenningsnivåer.
Magnachip får samtidig tilgang til Navitas' forsyningskjede og materialøkosystem for SiC, noe selskapene mener vil bidra til raskere markedsintroduksjon. Teknologien skal etter planen overføres, kvalifiseres og produseres ved Magnachips fabrikk i Sør-Korea.
Samarbeidet retter seg mot markeder som energi- og nettinfrastruktur, energilagring, industriell elektrifisering, kjøretøy og andre høyeffektsystemer, der behovet for effektive og robuste krafthalvledere øker.
Ifølge Chris Allexandre, administrerende direktør i Navitas, skal partnerskapet bidra til bredere utbredelse av GeneSiC-teknologien i nye markeder. Chae Lee, administrerende direktør i Magnachip, fremhever at avtalen åpner et nytt vekstområde innen høyspente SiC-løsninger og kompletterer selskapets eksisterende portefølje av MOSFET-er og krafthalvledere.
Selskapene opplyser også at avtalen omfatter muligheter for et bredere samarbeid utover SiC-teknologi, men uten å gi ytterligere detaljer på nåværende tidspunkt.
Navitas er kjent for sine GaN- og SiC-baserte krafthalvlederløsninger, mens Magnachip utvikler og produserer analoge og mixed-signal krafthalvledere for industri-, bil-, kommunikasjons- og forbrukermarkeder.
