Halvledere for smarte kraftnett
austriamicrosystems gjør endringer i sin høyspennings CMOS-teknologi, slik at den kan brukes i f.eks. smarte kraftnett. Med galvanisk isolasjon tåler kretsene flere hundre volt mellom hvert metallag.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Under Semiconductor Ecosystems Summit i regi av GSA (Global Semiconductor Alliance) lanserte austriamicrosystems nye kretser i sin 0,35 µm High-Voltage CMOS teknologi. Ved å introdusere et spesielt internt metalldioksid (IMD) lag har det lykkes bedriften å øke den galvaniske isolasjonen til over flere hundre volt.
I i stadig fler applikasjoner med en miks av digitale og analoge signaler, som f.eks. svitsjede kraftforsyninger (SMPS) og motorstyringer, må to individuelle ICer kunne fungere sammen, selv om de oererer ved betydelig ulike spenningsnivåer. Derfor må det finne sted isolert kommunikasjon mellom disse for å utveksle informasjon. I dag løses dette ofte med en optokopler mellom de to kretsene som skal kommunisere. Med den nye galvaniske isolasjonsprosessen skal det være mulig å droppe optokopleren og integrere de kommuniserende kretsene i én enkelt pakke (f.eks. en to-brikke løsning), så lenge en av kretsene har disse isolerte metallagene.
– Våre nye IMD lag åpner for isolasjonsspenninger langt utover 600 Vrms", sier Dr. Martin Schrems, direktør for prosessutvikling og -implementering hos austriamicrosystems. Han opplyser at de nye egenskapene er oppnådd uten å fordyre materialkostnadene. De har brukt sin standard 0,35 µm høyspennings CMOS prosess, men anvendt et lavstress oksid som gir den nødvendige IMD-tykkelsen.
– Kunder av silisiumsmien er velkommen til å utvikle sine tobrikkeløsninger med bruk av isolasjonsmulighetnen i vår nye H35B4V1 prosess, oppfordrer Schrems.
austriamicrosystems` galvaniske isolasjonsprosess H35B4V1 skal nå også være inkludert i prosessdesignsettet "HIT-Kit".
