GaN HEMTs blir billigere

GaN-teknologien har hatt stor fremvekst de senere år, og det ble reflektert gjennom flere produktlanseringer under electronica 2022.

Innoscience Technology er et selskap som satser på å skape et globalt økosystem basert på kraftige, men billige gallium-nitrid-på-silisium (GaN-on-Si) kraftkomponenter. Nå lanserer de nye 650V E-modus GaN HEMT (high electron mobility transistor) komponenter med lav RDS(on).

Krafttransistorene med betegnelsen INN650D080BS har en på-motstand på 80mΩ (60mΩ typisk) og leveres i en 8x8 DFN pakke. Disse skal muliggjøre applikasjoner med høye effekter, for eksempel i LLC-arkitekturer av totempæle-type eller i raske batteriladere.

- Vi er nå i stand til å adressere høytetthets- og høyeffektive effektomformingsapplikasjoner. Som alle våre andre 650V HEMTer, er disse nye komponentene kvalifisert i henhold til JEDEC-standarder for brikke og pakke, og de har også bestått DHSOL (Dynamic High Temperature Operating Life) pålitelighetstesting i henhold til JEP180 og akselererte levetidstester opp til 1000V gir levetidsberegninger på 36 år (520 V; 150°C; 0,01 % feilrate), opplyser produktutviklingssjef Yi Sun hos Innoscience.

Basert på Innosciences egenutviklede belastningsforsterkningslag, har InnoGaN-komponentene lav spesifikk RDS(ON) samt svært lav dynamisk RDS(ON) og god pålitelighet. De nye 80mΩ RDS(ON) -delene skal også ha svært gode kildespenningstransient- (VDS, transient) og pulset- (VDS, pulsed) karakteristikk – henholdsvis 800V og 750V. Dessuten, i likhet med de andre 650V-produktene, har de nye 80mΩ RDS(on) -enhetene en sterk ESD-beskyttelseskrets innebygd i selve brikken for å lette sammenstilling i masseproduksjon av disse enhetene.

I dette tilfellet har imidlertid ESD-kretsen blitt modifisert for å tillate en større negativ gatespenningssving ned til -6V.

De nye krafttransistorene slutter seg til de tidligere lanserte 140mΩ,190mΩ, 240mΩ, 350 mΩ, 500mΩ og 600 mΩ RDS(on) komponentene.