Masseproduserer 3D NAND
Samsung starter nå masseproduksjon av markedets første 3D Vertical NAND Flash. – Et gjennombrudd i oppskalering av NAND, mener selskapet.
Denne artikkelen er 2 år eller eldre
Samsung Electronics Co., Ltd., melder at de har startet masseproduksjon av tredimensjonale (3D) Vertical NAND (V-NAND) flashminner, noe de mener bryter den nåværende skaleringsgrensen for NAND flash.
De nye 3D V-NAND vil finne anvendelser i et bredt spekter av forbrukerelektronikk og industrielle applikasjoner, inkludert innvevd NAND-lagring og elektroniske lagringsenheter (SSD).
Den nye V-NAND gir en tetthet på 128 gigabit (Gb) i en enkelt brikke, og er basert på selskapets vertikale cellestruktur med såkalt 3D Charge Trap Flash (CTF) teknologi og vertikale interkonnekteringsteknologi for å kople sammen den tredimensjonale cellematrisen. Ved å kombinere disse teknologiene skal Samsungs 3D V-NAND kunne gi mer enn dobbelt så høy tetthet som typisk 20nm planar NAND flash.
Du kan lese mer om nyheten her (ekstern link).
