Lanserer 3,3 kV kraftmoduler

Microchip Technology har lansert en ny familie av 3,3 kV HV‑D3 mSiC kraftelektronikkmoduler, utviklet for å støtte fremveksten av solid-state-transformatorer (SST) i hyperskala KI-datasentre. Modulene skal bidra til høyere effektivitet og bedre utnyttelse av tilgjengelig strøm, en kritisk faktor i dagens GPU-intensive infrastrukturer.

De nye modulene integrerer 3,3 kV silisiumkarbid (SiC) MOSFET-er og Schottky-dioder i en industristandard 62 mm-pakke. Dette muliggjør direkte strømforsyning fra mellomspenningsnettet til serverrack, med færre konverteringstrinn enn tradisjonelle løsninger. Resultatet er lavere tap og økt systemeffektivitet, opplyser selskapet.

Ifølge Microchip er behovet for alternative kraftarkitekturer drevet av begrensninger i tilgjengelig effekt i KI-datasentre. Tradisjonelle transformatorbaserte løsninger gir høy kompleksitet og begrenset fleksibilitet. SST-teknologi representerer et skifte ved å redusere konverteringstrinn og legge til rette for høyspennings DC-distribusjon direkte i rack.

HV‑D3 mSiC-modulene er konstruert for høyspenningsdrift, med støtte for 6 kV isolasjon, CTI 600-materialer og utvidede krypeavstander for sikker seriekobling. Microchips mSiC MOSFET-teknologi gir stabil RDS(on) over temperatur, mens et silisiumnitrid-substrat forbedrer varmeledning og robusthet for effektsykluser. Dette skal legge til rette for høy effekttetthet med redusert kjølebehov.

Modulene leveres i halvbro- og felleskilde-konfigurasjoner, med eller uten antiparallelle dioder, og dekker strømområder fra 100 til 300 A. Teknologien er optimalisert for både hard- og myksvitsjede topologier, noe som gjør den egnet for høyfrekvente høyspenningsapplikasjoner.

I tillegg til KI-datasentre peker Microchip på bruksområder som megawatt-lading for tunge kjøretøy, jernbaneapplikasjoner og industrielle kraftsystemer, der kravene til isolasjon, robusthet og effektivitet er tilsvarende høye.